2月5日讯息：3D NAND闪存的设计和制造高度依赖存储单元的堆叠技术，从而实现存储密度和容量的显著提升，并降低成本。
近期，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家们联合研发出一种新型蚀刻工艺。
该方法采用氟化氢等离子体技术，使硅材料垂直通道的蚀刻效率翻倍，实现了每分钟蚀刻640纳米的高效能。这一创新的关键在于在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露于以化学物质形式存在的等离子体中。等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用，成功蚀刻出垂直通道孔洞。
研究进一步表明，结合三氟化磷等特定化学材料可进一步优化蚀刻工艺。此外，在蚀刻过程中可能会产生影响效率的副产品，但科学家们发现加入水后能够有效解决这一问题。通过水的作用，盐在低温下分解，从而加速了蚀刻过程。
这项技术突破为3D NAND闪存制造带来了重要进展，显著提升了蚀刻效率和精度，有望推动存储技术的发展。
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